前言
    作为新型功率半导体器件的主流器件，IGBT已广泛应用于工业、4C（通信、计算机、消费电子、汽车电子）、航空航天、国防军工等传统产业领域，以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。

IGBT应用领域分布—— 按电压

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    在下游市场需求的推动下，近年来我国国内企业在IGBT产品领域的研发投入呈明显上升趋势，行业整体产量从2010年的190万只增长至2024年的565万只。

2010-2024年我国IGBT产品产量图（单位：万只）

资料来源：博研咨询整理

    本IGBT行业研究报告是博研咨询公司的研究成果，通过文字、图表向您详尽描述您所处的行业形势，为您提供详尽的内容。博研咨询在其多年的行业研究经验基础上建立起了完善的产业研究体系，一整套的产业研究方法一直在业内处于领先地位。本中国IGBT行业研究报告是2019-2024年度，目前国内最全面、研究最为深入、数据资源最为强大的研究报告产品，为您的投资带来极大的参考价值。
    本研究咨询报告由博研咨询公司领衔撰写，在大量周密的市场调研基础上，主要依据了国家统计局、国家商务部、国家发改委、国家经济信息中心、国务院发展研究中心、国家海关总署、知识产权局、中国市场调研在线网提供的最新行业运行数据为基础，验证于与我们建立联系的全国科研机构、行业协会组织的权威统计资料。
    报告揭示了中国IGBT行业市场潜在需求与市场机会，报告对中国IGBT行业做了重点企业经营状况分析，并分析了中国IGBT行业发展前景预测。为战略投资者选择恰当的投资时机和公司领导层做战略规划提供准确的市场情报信息及科学的决策依据，同时对银行信贷部门也具有极大的参考价值。

报告目录：

第1章 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）相关概述 1
第一节 IGBT简介 1
一、结构及工作特性 1
1、定义及分类 1
    IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT种类

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    IGBT按缓冲区的有无来分类，缓冲区是介于P+发射区和N-飘移区之间的N+层。无缓冲区者称为对称型IGBT，有缓冲区者称为非对称型IGBT。因为结构不同，因而特性也不同。非对称型IGBT由于存在N+区，反向阻断能力弱，但其正向压降低、关断时间短、关断时尾部电流小；与此相反，对称型IGBT具有正反向阻断能力，其他特性却不及非对称型IGBT。目前商品化的IGBT单管或模块大部分是非对称型IGBT。
    特点：
    （1）可靠性高。由于IGBT 是自关断元件，不易发生逆变换向失败、保护动作也是瞬时的。
    （2）节电。由于采用串联电路并且设计无功电流小，使电耗大为减小。
    （3）用IGBT 扩大机组容量是积木式的，就更易于实现单机大容量。
    （4）用IGBT 完成的串联逆变电路，线路简单，易于完成单一电源双输出，实现“一拖二”，使操作者容易掌握、维护简单。
    （5）启动性能优越。不论在任何状态下（包括钢水满炉冻炉）启动成功率均为100%。
    （6）对电网无污染。成套设备对电网的功率因数高，不需外加任何补偿措施，成套电炉设备对电网的功率因数在运行的全过程中都保持在0.95 以上。
    （7）本系统实行“软启动”、“软关机”，不论是启动或关机，还是保护动作自动停机，都自动进入“软启动”、“软关机”。因此，不论在全功率、全电压以及“冻炉”等任意状态下均可进行开机、停机，并确保本系统所设置的各种必要的保护可靠工作、保证系统可靠无误。该系列产品于1994 年投放市场运行的，从未出现“伤筋动骨”的故障、从未出现“不可修复”的故障。
    （8）维修容易。一般的操作电工经过培训就能完成。
2、产品特性 2
3、主要应用领域 4
二、工艺流程 5
第二节 发展历史 7
第三节 IGBT产业链分析 8
一、设计 8
    IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，具有高频率、电机传动、汽车、智能电网、新能源、航空航天、高电压、大电流，易于开关、交流变频、强电控制、优良性能，被业界誉为功率变流装置的“CPU”，广泛应用于轨道交通、船舶驱动、风力发电、产业领域。 随着以轨道交通为代表的新兴市场兴起，中国已经成为全球IGBT最大需求市场。
    芯片设计厂商主要有中科君芯、山东科达、、中航微电子、西安爱帕克、华润上华、深圳比亚迪、宁波达新、南京银茂、吉林华微等。
    其中，深圳比亚迪微电子有限公司是比亚迪集团旗下的独立子公司，自2003年开始致力于集成电路及功率器件的开发，并提供产品应用的整套解决方案。业务领域为：
    IGBT芯片及模块，智能功率模块（IPM），AC-DC芯片，电池保护及管理芯片，功率场效应管（MOSFET），CMOS图像传感器，触摸控制芯片、触摸板，ESD保护二极管、智能动力电池管理、电流传感器等。
    作为电力电子重要大功率主流器件之一，IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业应用方面，如交通控制、功率变换、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备，以及用于自动控制的变频器。在消费电子方面，IGBT用于家用电器、相机和手机。
二、制造 8
    IGBT供应链已成熟，新公司较少，但逐步重塑
    大多数IGBT厂商都涉足该领域有数十年之久。品牌厂商与用户之间的关系已经建立，商业模式也已成形。然而，演进正在发生：随着电动汽车市场的需求增长，电源模块正成为电动汽车市场价值链中的关键部分。越来越多的企业选择进入电源模块市场，以获取该市场的附加值。预计未来电源模块制造业务将变得非常艰难，因为有大量厂商参与竟争。
    功率器件行业的制造材料主要有晶硅、塑封料、铜材等，铜材属于重要的战略物资资源，对于铜材的需求来自多个领域，功率器件行业仅占其需求端的很小一部分。塑封料占据了整个微电子封装材料97%以上的市场。现在，已经广泛地应用于半导体器件、集成电路、消费电子、汽车、军事、航空等各个封装领域，其采购价格将整体维持波动上升。

IGBT行业芯片制造企业发展

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三、封装 10
    封装IGBT模块所用芯片大多由英飞凌、ABB等国外公司提供，只有极少量的芯片由国内生产，国产IGBT芯片年产值不到1亿元。
    IGBT模块封装流程：一次焊接--一次邦线--二次焊接--二次邦线---组装--上外壳、涂密封胶--固化---灌硅凝胶---老化筛选。这些流程不是固化的，要看具体的模块，有的可能不需要多次焊接或邦线，有的则需要，有的可能还有其他工序。

IGBT模块封装图示

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    IGBT模块封装采用了胶体隔离技术，防止运行过程中发生爆炸；第二是电极结构采用了弹簧结构，可以缓解安装过程中对基板上形成开裂，造成基板的裂纹；第三是对底板进行加工设计，使底板与散热器紧密接触，提高了模块的热循环能力。对底板设计是选用中间点设计，在我们规定的安装条件下，它的幅度会消失，实现更好的与散热器连接。后面安装过程我们看到，它在安装过程中发挥的作用。产品性能，我们应用IGBT过程中，开通过程对IGBT是比较缓和的，关断过程中是比较苛刻。大部分损坏是关断造成超过额定值。
    在封装方面，厂商面临着诸多挑战，如良率提升、失效降低、制造简化、成本降低等。为了实现这些目标，新设计和新材料崭露头角，获得厂商使用。新的电源模块解决方案灵感来自于智能手机等大批量市场，集成嵌入式芯片的模块通过光伏和汽车等领域进入IGBT市场。一些大型厂商也正在加快并购步伐，以获取更多的技术经验。

第2章 2015-2024年世界IGBT行业发展现状分析 12
第一节 2015-2024年世界IGBT发展概况 12
一、世界IGBT市场需求规模分析 12
二、世界IGBT竞争格局分析 20
第二节 2015-2024年世界主要国家IGBT行业发展情况分析 25
一、美国 25
二、日本 26
三、德国 27
第三节 全球主要IGBT区域发展动态分析 28
一、三菱电机在配备第7代IGBT的模块中追加1.7KV产品 28
二、瑞萨电子推出第8代IGBT 29
三、东芝面向车载逆变器推出光电隔离型IGBT栅极预驱动IC 31
四、上海先进试制6500V机车用IGBT芯片通过中车产品鉴定 32
第四节 2024-2030年世界IGBT行业技术趋势分析 33

第3章 2015-2024年中国IGBT行业发展环境分析 35
第一节 国内宏观经济环境分析 35
一、GDP历史变动轨迹分析 35
二、固定资产投资历史变动轨迹分析 37
三、2024-2030年中国宏观经济发展预测分析 43
第二节 2015-2024年中国IGBT行业发展政策环境分析 47
一、行业政策影响分析 47
二、相关行业标准分析 88

第4章 2015-2024年中国IGBT行业运行形势分析 89
第一节 2015-2024年中国IGBT行业概况 89
一、IGBT发展现状 89
    作为新型功率半导体器件的主流器件，IGBT已广泛应用于工业、4C（通信、计算机、消费电子、汽车电子）、航空航天、国防军工等传统产业领域，以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。

IGBT应用领域分布—— 按电压

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    在下游市场需求的推动下，近年来我国国内企业在IGBT产品领域的研发投入呈明显上升趋势，行业整体产量从2010年的190万只增长至2024年的565万只。

2010-2024年我国IGBT产品产量图（单位：万只）

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    目前我国IGBT 优秀企业不多，南车时代、比亚迪等均主要为自己的高铁和新能源汽车做配套，华微电子属于国内在消费类IGBT 市场的龙头企业，此前主要产品是第四代产品，和国际龙头差距较大，公司非常重视也极为看好战略性新兴产业的发展给功率半导体产业带来的广阔空间，因此公司进一步加大新技术、新产品的研发投入，研发投入达到营业收入的6%以上，研发的重心以符合国家战略性新兴产业发展需求的第四代、第六代IGBT产品、COOLMOS产品以及TRENCH SBD等为主，力求实现高端功率半导体核心技术快速突破。目前新技术产品已陆续应用于市场，随着公司新技术、新产品的系列化，将真正实现国内自主技术在中高端市场的规模化应用，有效加快公司的客户、市场结构调整步伐，进而提升公司整体运营质量，实现公司经营业绩的提高。

2024年我国部分IGBT生产商市场定位

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二、中国拟建在建IGBT项目分析 91
第二节 IGBT工艺技术及器件发展 92
一、IGBT工艺流程及技术研究 92
二、IGBT芯片生产设备组成 95
第三节 IGBT行业存在问题及发展限制 95
第四节 中国IGBT企业应对措施 97

第5章 2013-2015年中国半导体分离器件行业数据监测分析 98
第一节 中国半导体分立器件制造行业规模情况分析 98
一、行业单位规模情况分析 98
二、行业人员规模状况分析 98
三、行业资产规模状况分析 99
四、行业利润规模状况分析 99
第二节 中国半导体分立器件制造行业产销情况分析 100
一、行业生产情况分析 100
二、行业销售情况分析 100
三、行业产销情况分析 101
第三节 中国半导体分立器件制造行业财务能力分析 101
一、行业盈利能力分析 101
二、行业偿债能力分析 102
三、行业营运能力分析 102

第6章 2013-2015年中国IGBT行业市场动态分析 103
第一节 2013-2024年中国IGBT生产分析 103
一、2013-2024年中国IGBT产能统计分析 103
二、2013-2024年中国IGBT产量统计分析 107
第二节 市场分析 111
一、我国IGBT行业市场规模分析 111
    IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，为世界公认的电力电子第三次技术革命的代表性产品，具有高频率、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置的“CPU”。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体技术已经日益广泛地应用于日常消费品、工业制造、电力输配、交通运输、航空航天、可再生能源及军工等重点领域，只要涉及到用电的各种场合，就离不开以功率半导体为核心的电力电子技术的应用。“目前，中国是世界上最大的功率半导体器件消费国，但作为产业链高端的功率芯片则全部依赖进口，这势必影响国民经济的安全、可持续发展。
    我国IGBT技术取得一定突破，应用需求巨大。IGBT芯片技术方面，中国南车建成全球第二条、国内首条8英寸IGBT芯片专业生产线，具备年产12万片芯片、并配套形成年产100万只IGBT模块的自动化封装测试能力，芯片与模块电压范围实现从650V到6500V的全覆盖。去年成功实现首批8英寸1700V IGBT芯片下线，8英寸3300V芯片已完成试制与测试，6500V芯片也已研发出合格样品。IGBT模块技术方面，封装IGBT模块所用芯片大多由英飞凌、ABB等国外公司提供，只有极少量的芯片由国内生产，国产IGBT芯片年产值不到1亿元。但我国却是全球最大的功率半导体消费市场，占全球市场的40%以上，未来一段时期仍将保持15%以上的速度增长，市场潜力巨大。
    在新能源、节能环保“十三五”规划等一系列国家政策措施的支持下，国内IGBT的发展获得巨大的推动力，市场持续快速增长。2024年，国内IGBT市场规模达105.4亿元。近几年我国IGBT市场规模情况如下图所示：

2008-2024年我国IGBT市场规模情况

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二、中国IGBT区域市场规模分析 112
第三节 中国IGBT重点应用领域分析 113
一、变频家电 113
二、新能源领域 114
三、智能电网 115
四、不间断电源 115

第7章 中国IGBT市场竞争分析 116
第一节 行业竞争结构分析 116
一、现有企业间竞争 116
二、潜在进入者分析 116
三、替代品威胁分析 116
四、供应商议价能力 117
五、客户议价能力 117
第二节 IGBT市场竞争策略分析 117
一、IGBT市场增长潜力分析 117
二、IGBT产品发展策略分析 118
三、 典型企业产品竞争策略分析 119

第8章 2015年中国IGBT行业市场竞争格局分析 121
第一节 2024年中国IGBT市场竞争现状 121
一、品牌竞争 121
二、价格竞争 122
三、产品竞争趋势 122
第二节 2024-2030年中国IGBT 行业竞争关键因素 123
一、渠道 123
二、产品/服务质量 123
三、品牌 124

第9章 2015-2024年国际IGBT重点供应商运营状况分析 126
第一节 意法半导体（STMICROELECTRONICS） 126
一、企业概况 126
二、2015-2024年企业经营与财务状况分析 126
三、2015-2024年企业竞争优势分析 127
四、企业未来发展战略与规划 127
第二节 英飞凌（INFINEON） 127
一、企业基本概况 127
二、2014-2015年企业经营与财务状况分析 127
三、2015-2024年企业竞争优势分析 128
四、企业未来发展战略与规划 129
第三节 赛米控 130
SEMIKRON公司IGBT模组 130
第四节 国际整流器 131
第五节 飞兆半导体 131
第六节 富士电机 134
第七节 东芝 135
第八节 三菱电机 135

第10章 2015-2024年中国IGBT重点供应商运营状况分析 138
第一节 江苏长电科技股份有限公司 138
一、企业概况 138
二、企业主要经济指标分析 142
三、企业盈利能力分析 143
四、企业偿债能力分析 144
五、企业运营能力分析 145
六、企业成长能力分析 146
第二节 上海贝岭股份有限公司 146
一、企业概况 146
二、企业主要经济指标分析 148
三、企业盈利能力分析 148
四、企业偿债能力分析 150
五、企业运营能力分析 151
六、企业成长能力分析 151
第三节 华微电子 152
一、企业概况 152
二、企业主要经济指标分析 153
三、企业盈利能力分析 154
四、企业偿债能力分析 155
五、企业运营能力分析 156
六、企业成长能力分析 156
第四节 中环股份 157
一、企业概况 157
二、企业主要经济指标分析 162
三、企业盈利能力分析 162
四、企业偿债能力分析 163
五、企业运营能力分析 164
六、企业成长能力分析 165
第五节 厦门宏发电声股份有限公司 165
一、企业概况 165
二、企业主要经济指标分析 169
三、企业盈利能力分析 169
四、企业偿债能力分析 170
五、企业运营能力分析 171
六、企业成长能力分析 172
第六节 湖北台基半导体股份有限公司 172
一、企业概况 172
二、企业主要经济指标分析 175
三、企业盈利能力分析 176
四、企业偿债能力分析 177
五、企业运营能力分析 178
六、企业成长能力分析 179
第七节 其它企业分析 179
一、西安电力技术 179
二、科达半导体 181
三、比亚迪微电子 182
四、嘉兴斯达半导体 182
五、江苏宏微科技 185
六、南京银茂微电子 186
七、中车时代电气（03898） 187
八、西安卫光科技有限公司 191

第11章 2015-2024年中国IGBT相关产业链运行走势分析 194
第一节 2015-2024年中国IGBT上游市场分析 194
第二节 2015-2024年中国IGBT下游市场分析 196

第12章 2024-2030年中国IGBT行业发展前景预测分析 216
第一节 2024-2030年中国IGBT行业发展预测分析 216
一、未来IGBT发展分析 216
二、未来IGBT行业技术开发方向 217
三、总体行业十四五整体规划及预测 218
第二节 2024-2030年中国IGBT行业市场前景分析 218
一、产品差异化是企业发展的方向 218
二、发展模式分析 219

第13章 2024-2030年中国IGBT行业投资机会与风险分析 221
第一节 2024-2030年中国IGBT行业投资环境分析 221
第二节 2024-2030年IGBT行业投资机会分析 222
一、规模的发展及投资需求分析 222
二、总体经济效益判断 222
三、与产业政策调整相关的投资机会分析 223
第三节 2024-2030年中国IGBT行业投资风险分析 224
一、市场竞争风险 224
二、原材料压力风险分析 224
三、需求放缓风险 224
四、外资进入现状及对未来市场的威胁 225
五、其他风险 225